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SiC結晶の回折トポグラフィー

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X線トポグラフィーは、結晶内部の転位、欠陥、格子歪等によるX線回折強度の変化をコントラストを増強して画像化する手法です。
a.(0001) に近い方位(8°傾斜)の結晶表面から得られた表面反射タイプのトポグラフ(波長0.15 nm, 1128 反射)。
b.格子状パターンを描画しエッチング後撮影したトポグラフ像。線像(太、細)はエッチングにより生じた格子歪を反映しています。
(実験施設:KEK PF、利用者:産業技術総合研究所)