[SPring-8]第6回次世代先端デバイス研究会/第32回SPring-8先端利用技術ワークショップ


イベント詳細


微細化による性能向上が難しくなっているといわれながらも、新しい構造、材料の採用により発展を続けるSiデバイスや、その限界を超えるためのⅣ族、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体デバイス技術の研究は実用化に向け着々と進められており、またフレキシブル、低環境負荷、低コストでユビキタス社会に向け期待される次世代半導体としての有機デバイスの研究もますます盛んとなってきています。これらデバイスの材料、デバイス構造、製造プロセス開発での課題解決のために、SPring-8の高輝度なX線を活かした評価は有用な技術です。 今回は、過酷な環境下で動作可能なSiC FETの開発、パワー・高周波デバイスとして開発の進むワイドギャップ半導体デバイスの特性向上に向けた分析、より高温での信頼性が求められるパワーデバイス実装時の接合部の劣化過程の評価、高い移動度を有する液晶性有機材料をはじめとする有機トランジスタ材料の解析など、製品への適用が進む半導体材料、デバイスの実用時の課題に関する研究と放射光利用事例の紹介が行われます。

日程:平成30年11月19日(月)
場所:AP品川 京急第2ビル 9階 Mルーム
   〒108-0074 東京都港区高輪3-25-23 

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